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0519-85112622正常情況下,并聯(lián)電容器組的投入和退出運(yùn)行應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)功率因數(shù)的大小及系統(tǒng)電壓的高低來決定。系統(tǒng)功率因數(shù)低于規(guī)定值(一般為0.9~0.95)或系統(tǒng)電壓較低時(shí),應(yīng)投入電容器;系統(tǒng)功率因數(shù)趨近于1,并有超前的趨勢(shì)或系統(tǒng)電壓偏高時(shí),應(yīng)適量退出部分電容器。
⑥電容器起火、冒煙等。
希拓電氣三相可控硅開關(guān)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。